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FDB047N10 Technische Spezifikationen

FDB047N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.762g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 4.7MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 174 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 386ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 344 ns
Threshold Voltage 3.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 3.5 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15265pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 244 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 656A
Height 4.83mm
Width 11.33mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDB045AN FSC Spezialisierte heiße ICs 552
FDB045AN08 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 410
FDB045AN08A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22610
FDB045AN08A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5476
FDB045AN08A0 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB045AN08A0 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 16930
FDB045AN08A0-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
FDB045AN08A0-F085 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB045AN08A0_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2620
FDB045AN08A0_NL Fairchi Spezialisierte heiße ICs 2532

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FDB047N10 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDB047N10 Referenzpreis. FDB047N10 Parameter, FDB047N10 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDB047N10 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDB047N10 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDB047N10 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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