FDB070AN06A0-F085 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 33 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Subcategory FET General Purpose Power
Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 15A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 175W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDB070AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 28251
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