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FDB12N50TM Technische Spezifikationen

In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 11.5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB12N50TM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 650MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 165W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A Tc
Rise Time 60ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46A
Height 4.83mm
Width 9.65mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 165W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1315pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Avalanche Energy Rating (Eas) 456 mJ
Length 10.67mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDB120N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 38738
FDB120N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 38738
FDB120N10 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB120N10 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3659
FDB12N50 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 1694
FDB12N50F FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 10448
FDB12N50FTM FSC Spezialisierte heiße ICs 553
FDB12N50FTM-WS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2552
FDB12N50FTM-WS ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB12N50FTM_WS Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363

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