FDB2552 Technische Spezifikationen

FDB2552 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Current 5A
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta 37A Tc
Rise Time 29ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 36 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 36MOhm
Voltage - Rated DC 150V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 37A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Voltage 150V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 4.83mm
Width 11.33mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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