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FDB3652-F085 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 61A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 61A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 61A Tc
Rise Time 85ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.016Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 182 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDB3632 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6275
FDB3632 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 31051
FDB3632 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB3632 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 802
FDB3632-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2663
FDB3632-F085 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB3632-NL Original Spezialisierte heiße ICs 2504
FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32730
FDB3632_SB82115 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2701
FDB3652 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30512

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