FDB6670AL Technische Spezifikationen

FDB6670AL datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Part Status Obsolete
Resistance 6.5MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 68W Tc
Power Dissipation 68W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2440pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Rated DC 30V
Number of Elements 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Ta
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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