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FDB8444 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 5.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 167W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Rise Time 78ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 307 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 167W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8035pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 70A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FDB8441-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2503
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FDB8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2694
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