FDB8896-F085 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 80W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 93A Tc
Rise Time 102ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 74 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 80W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 44 ns
Continuous Drain Current (ID) 93A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 19A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
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