FDC3535 Technische Spezifikationen

FDC3535 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 183m Ω @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage -1.6V
Drain to Source Breakdown Voltage -80V
Nominal Vgs -1.6 V
Height 1.1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A Ta
Rise Time 3.1ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.9 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Feedback Cap-Max (Crss) 40 pF
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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