FDC6304P Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 1.1Ohm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 700mW
Current Rating -460mA
Element Configuration Dual
Power Dissipation 900mW
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ω @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage -860mV
Drain to Source Breakdown Voltage -25V
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -25V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 460mA
Rise Time 8ns
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) -460mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDC6301 FAIRCHIL Spezialisierte heiße ICs 2275
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FDC6301N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 166744
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