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FDC6318P Technische Spezifikationen

FDC6318P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 960mW
Power - Max 700mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A
Rise Time 14ns
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage -700mV
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 90MOhm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 960mW
Current Rating -2.5A
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Dual Supply Voltage 12V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 700 mV
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDC6301 FAIRCHIL Spezialisierte heiße ICs 2275
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