FDC6327C Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 80MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 960mW
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 1.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN (SN)
Max Power Dissipation 960mW
Current Rating 2.7A
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 700mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A 1.9A
Rise Time 14ns
Turn-Off Delay Time 14 ns
Threshold Voltage 900mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 900 mV
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDC6301 FAIRCHIL Spezialisierte heiße ICs 2275
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