FDD2582 Technische Spezifikationen

FDD2582 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 21A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 95W
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A Ta 21A Tc
Rise Time 19ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 59 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 66mOhm
Voltage - Rated DC 150V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 95W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FDD25-03S1 CHINFA Spezialisierte heiße ICs 45240
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