FDD86110 Technische Spezifikationen

FDD86110 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.1W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A Ta 50A Tc
Rise Time 5.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Threshold Voltage 2.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 127W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2m Ω @ 12.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 3.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 12.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 2.8 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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