FDD86113LZ Technische Spezifikationen

FDD86113LZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 29W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104m Ω @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 1.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.5A
Height 2.39mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.1W
Turn On Delay Time 3.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A Ta 5.5A Tc
Rise Time 1.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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