FDD86252 Technische Spezifikationen

FDD86252 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 89W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 985pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.052Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 72 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.1W
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta 27A Tc
Rise Time 1.8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Threshold Voltage 3.1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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