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FDD8N50NZTM Technische Spezifikationen
Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mO, DPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 90W |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A Tc |
Rise Time | 34ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 287 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | UniFET-II™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ESD PROTECTED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 90W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850m Ω @ 3.25A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 43 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.85Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 500V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Datenblätter
Andere schließen ein "FDD8N" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FDD8N'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDD8N50NZ | FSC | Spezialisierte heiße ICs | 1341 |
FDD8N50NZTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 48554 |
FDD8N50NZTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 15809 |
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Steckdosenklemmen
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