FDG315N Technische Spezifikationen

FDG315N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 28mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 2A
Power Dissipation-Max 750mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A Ta
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
Dual Supply Voltage 30V
Height 1mm
Width 1.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 120MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 750mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120m Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDG311N Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30184
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