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FDG327N Technische Spezifikationen

Transistor, Mosfet, N-channel, 20V V(br)dss, 1.5A I(d), SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 1.5A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 420mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 423pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 6.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Nominal Vgs 700 mV
Height 1mm
Width 1.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 28mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 90mOhm
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 420mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Ta
Rise Time 6.5ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Threshold Voltage 700mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Min Breakdown Voltage 20V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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