FDG6318PZ Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 28mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -500mA
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 780MOhm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Element Configuration Dual
Power Dissipation 300mW
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780m Ω @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V
Rise Time 13ns
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 500mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.5A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1mm
Width 1.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDG6301N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 167678
FDG6301N Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2336
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