FDH50N50-F133 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 625W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-247AB
Drain-source On Resistance-Max 0.105Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series UniFET™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 48A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 192A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1868 mJ
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FDH50N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30599
FDH50N50 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 384
FDH50N50-F133 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 385
FDH50N50_F133 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363

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