FDMA1029PZ Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Contact Plating Gold
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -20V
Current Rating -3.1A
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.4W
Turn On Delay Time 13 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95m Ω @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Rise Time 11ns
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1 V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Weight 40mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.4W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Power - Max 700mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Threshold Voltage 1V
Drain-source On Resistance-Max 0.095Ohm
Dual Supply Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Height 750μm
Width 2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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