FDMB2307NZ Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Contact Plating Gold
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 800mW
Number of Elements 2
Power Dissipation 2.2W
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 750μm
Width 3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Weight 12.0024mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory FET General Purpose Power
Base Part Number FDMB2307
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 34ns
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 1.76nF
FET Feature Logic Level Gate
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDMB2307NZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 11374
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