FDMB3900AN Technische Spezifikationen

FDMB3900AN datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 60μg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 800mW
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 13V
Rise Time 3ns
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 750μm
Width 1.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
FET Feature Logic Level Gate
Length 3mm
Radiation Hardening No
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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