FDMD8260LET60 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 15A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 12-PowerWDFN
Weight 82.3188mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 15A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 12
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.1W
Reach Compliance Code not_compliant
Element Configuration Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
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FDMD82100 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2727
FDMD82100 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
FDMD82100L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2795
FDMD82100L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2769
FDMD82100L ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
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