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FDML7610S Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Contact Plating Gold
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.2W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 800mW 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 17A
Turn-Off Delay Time 31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0075Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
FET Feature Logic Level Gate
Height 750μm
Width 4.5mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 300mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2.2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 17A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 60A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1.8 V
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDML7610S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2502
FDML7610S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2581

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