FDP025N06 Technische Spezifikationen

FDP025N06 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 2.421g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 395W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14885pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 226nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 250 ns
Continuous Drain Current (ID) 265A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 15.7mm
Width 4.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 395W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 134 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 324ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 348 ns
Threshold Voltage 3.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 3.5 V
Length 9.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDP020N06B FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 4785
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FDP020N06BH Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1264
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