FDP045N10A-F102 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Active
Subcategory FET General Purpose Power
Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 263W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDP040N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32412
FDP040N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32412
FDP040N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 303
FDP040N08 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 50
FDP045N10 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 353
FDP045N10A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21641
FDP045N10A Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4526
FDP045N10A MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 582
FDP045N10A-F102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
FDP045N10A_F102 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3900

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