FDP2572 Technische Spezifikationen

FDP2572 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 150V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 135W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta 29A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.054Ohm
Nominal Vgs 4 V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 29A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 135W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 29A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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