FDP2710-F085 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 4A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Power Dissipation-Max 403W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 101nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 154 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.047Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 483 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 403W
Turn On Delay Time 80 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta
Rise Time 252ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 112 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Radiation Hardening No
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FDP2710 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 47002
FDP2710 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP2710 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 394
FDP2710-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2509
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