FDP3672 Technische Spezifikationen

FDP3672 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 33MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 135W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A Ta 41A Tc
Rise Time 48ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 24 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.9A
Avalanche Energy Rating (Eas) 48 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 105V
Current Rating 41A
Power Dissipation-Max 135W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33m Ω @ 41A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 41A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 105V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDP3632 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 41558
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