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FDP52N20 Technische Spezifikationen
FDP52N20 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | UniFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE ENERGY RATED |
Voltage - Rated DC | 200V |
Current Rating | 52A |
Power Dissipation-Max | 357W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 53 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A Tc |
Rise Time | 175ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 48 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 208A |
Height | 9.4mm |
Width | 4.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 49MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 357W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49m Ω @ 26A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 29 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 52A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 2520 mJ |
Length | 10.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDP52N20 Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "FDP52" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FDP52'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDP52N20 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5343 |
FDP52N20 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 20795 |
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FDP52N20 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDP52N20 Referenzpreis. FDP52N20 Parameter, FDP52N20 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDP52N20 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDP52N20 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDP52N20 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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