FDPF5N50UT Technische Spezifikationen

FDPF5N50UT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 28W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 2Ohm
Height 16.07mm
Width 4.9mm
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series FRFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 28W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Tc
Rise Time 21ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 27 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Length 10.36mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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