FDS4480 Technische Spezifikationen

FDS4480 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position DUAL
Current Rating 10.8A
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A Ta
Rise Time 9ns
Vgs (Max) +30V, -20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 3.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 240 mJ
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 10.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1686pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 10.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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