FDS6298 Technische Spezifikationen

FDS6298 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1108pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 13A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50A
Nominal Vgs 1.7 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 15MOhm
Additional Feature FAST SWITCHING
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 13A
Power Dissipation-Max 3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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