FDS6912 Technische Spezifikationen

FDS6912 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 900mW
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 28MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 15V
Rise Time 13ns
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage 2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Dual Supply Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDS6900 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1836
FDS6900A FSC Spezialisierte heiße ICs 2666
FDS6900AS Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 1388
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