FDS6982AS Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®, SyncFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Recovery Time 19 ns
FET Feature Logic Level Gate
Turn Off Time-Max (toff) 64ns
Height 1.75mm
Width 3.99mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 28MOhm
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 8.6A
Number of Channels 2
Power Dissipation 2W
Power - Max 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A 8.6A
Rise Time 7ns
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 1.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 1.4 V
Turn On Time-Max (ton) 34ns
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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