FDS6986AS Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 29MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 900mW
Current Rating 7.9A
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A 7.9A
Rise Time 9ns
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6.5A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 3.99mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®, SyncFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.9mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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