FDS6990AS Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 900mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A
Rise Time 8ns
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.5A
Dual Supply Voltage 30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 1.7 V
Length 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®, SyncFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 22mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.5mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.75mm
Width 4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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