FDS86141 Technische Spezifikationen

FDS86141 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 934pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 3.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.023Ohm
Nominal Vgs 3.1 V
Length 4mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta
Rise Time 3.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14.3 ns
Threshold Voltage 3.1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 1.5mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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