FDS86242 Technische Spezifikationen

FDS86242 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A Ta
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage 2V
Drain-source On Resistance-Max 0.067Ohm
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 4mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67m Ω @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Nominal Vgs 3.5 V
Height 1.75mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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