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FDS89161LZ Technische Spezifikationen

FDS89161LZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 31W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 302pF @ 50V
Rise Time 10ns
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.7A
Drain-source On Resistance-Max 0.105Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 15A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.575mm
Width 3.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 1.6W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Turn-Off Delay Time 9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 13 mJ
FET Feature Standard
Length 4.9mm
Radiation Hardening No
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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