FDS8935 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 3.1W
Power - Max 1.6W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage -80V
FET Feature Logic Level Gate
Feedback Cap-Max (Crss) 36 pF
Length 4mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 3.1W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 183m Ω @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 40V
Rise Time 3ns
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1.8 V
Height 1.5mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
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