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FDS8984 Technische Spezifikationen

FDS8984 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 1.6W
Current Rating 7A
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.6W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 15V
Rise Time 9ns
Turn-Off Delay Time 42 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 23MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 7mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1.7 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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