FDWS86068-F085 Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - FDWS86068-F085 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 80 A, 100 V, 0.0052 ohm, 10 V, 3 V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 214W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
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