FDZ1905PZ Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 46 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-UFBGA, WLCSP
Weight 54mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2016
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Max Power Dissipation 900mW
Terminal Form BALL
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Drain to Source Voltage (Vdss) -20V
Turn-Off Delay Time 143 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Feature Logic Level Gate
Length 1mm
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 2
Power Dissipation 1.5W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 126m Ω @ 1A, 4.5V
Rise Time 36ns
Fall Time (Typ) 36 ns
Continuous Drain Current (ID) -3A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 650μm
Width 1.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDZ191P ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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