FGA25N120FTD Technische Spezifikationen

FGA25N120FTD datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 313W
Input Type Standard
Power - Max 313W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 770 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Gate Charge 160nC
Td (on/off) @ 25°C 48ns/210ns
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 48 ns
Turn-Off Delay Time 210 ns
Max Collector Current 50A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 25A, 15 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Switching Energy 340μJ (on), 900μJ (off)
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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