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FGH40N60UFTU Technische Spezifikationen

IGBT 600V 80A 290W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Base Part Number FGH40N60
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 290W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
JEDEC-95 Code TO-247AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 190 ns
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 24ns/112ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 100ns
Length 15.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 290W
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application POWER CONTROL
Turn-Off Delay Time 112 ns
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 1.19mJ (on), 460μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Height 20.6mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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