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FJB102TM Technische Spezifikationen

FJB102TM datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 80W
Current Rating 8A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity NPN
Power Dissipation 80W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 80mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 200
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number FJB102
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Max Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FJB102TM Unterlagen

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Die folgenden Teile umfassen  'FJB10' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJB102TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2641
FJB102TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2750
FJB102TM IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 733

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