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FJN3305RBU Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN
HTS Code 8541.21.00.75
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT APPLICABLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT APPLICABLE
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number FJN3305
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 300mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJN3301 FAIRCH Spezialisierte heiße ICs 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2647
FJN3301RTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2184

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